Корзина
Shcaf
График работы
  • Понедельник
    08:0020:00
  • Вторник
    08:0020:00
  • Среда
    08:0020:00
  • Четверг
    08:0020:00
  • Пятница
    08:0020:00
  • Суббота
    08:0020:00
  • Воскресенье
    12:0020:00
Контакты
+380 (50) 551-04-27
0684063199
Shcaf
Ярослав Гардубей
89675, Закарпатская обл., Мукачевский р-н, с. Залужье, ул. Шевченко, дом. 69, Мукачево, Украина
yaroslaw.lg@gmail.com
+380 (50) 551-04-27
Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором, фото 2
Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором, фото 3
Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором, фото 4

Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором

84 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

  • Готово к отправке
  • Оптом и в розницу
  • Код: 0414
Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором
Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затворомГотово к отправке
84 ₴
+380 (50) 551-04-27
0684063199
+380 (50) 551-04-27
0684063199
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание
Характеристики

Полевой транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором

Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением.

Особенности

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Время нарастания (tr): 82 ns
  • Выходная емкость (Cd): 720 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Основные
ПроизводительPD
Страна производительФилиппины
Максимальная мощность рассеивания370 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток75 В
Максимально допустимый ток стока210 А
Материал корпусаПластик
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Время включения87 мкс
Дополнительные характеристики
Выходная емкость820 пФ
Пользовательские характеристики
Тип назначенияПолевой транзистор IRFB3077 75V/210A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором
Информация для заказа
  • Цена: 84 ₴