
36,80 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением.

| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
| Страна производитель | Филиппины |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 781 пФ |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип назначения | Полевой транзистор IRFB3205 55V/110A, N-канальный МОП транзистор MOSFET, Транзистор с изолированным затвором |