


84 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор із ізольованим закривом і каналом n-типу випускається в корпусі TO220AB і кріпиться на тепловідвід. Напівпровідниковий прилад виготовлений на основі кремнію, між джерелам і стоком вбудований захисний діод. Пристрій має низький тепловий опір і має швидке перемикання.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
| Країна виробник | Філіппіни |
| Максимальна потужність розсіювання | 370 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 210 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Час включення | 87 мкс |
| Додаткові характеристики | |
| Вихідна ємність | 820 пФ |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип призначення | Польовий транзистор IRFB3077 75V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом |