Продавець Shcaf розвиває свій бізнес на Prom.ua 4 роки.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
1439 відгуків
Shcaf
Графік роботи
  • Понеділок
    08:0020:00
  • Вівторок
    08:0020:00
  • Середа
    08:0020:00
  • Четвер
    08:0020:00
  • Пʼятниця
    08:0020:00
  • Субота
    08:0020:00
  • Неділя
    12:0020:00
Контакти
+380 (50) 551-04-27
0684063199
Shcaf
Ярослав Гардубей
89675, Закарпатська обл., Мукачівський р-н, с. Залужжя, вул. Шевченка, буд. 69, Мукачево, Україна
yaroslaw.lg@gmail.com
+380 (50) 551-04-27
Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом, фото 2Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом, фото 3Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом, фото 4

Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом

70 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 грн

  • Готово до відправки
  • Оптом і в роздріб
  • Код: 0414
Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом
Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривомГотово до відправки
70 ₴
+380 (50) 551-04-27
0684063199
+380 (50) 551-04-27
0684063199
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис
Характеристики

Польовий транзистор IRFB3206 60V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом

Транзистор із ізольованим закривом і каналом n-типу випускається в корпусі TO220AB і кріпиться на тепловідвід. Напівпровідниковий прилад виготовлений на основі кремнію, між джерелам і стоком вбудований захисний діод. Пристрій має низький тепловий опір і має швидке перемикання.

Особливості

  • Тип транзизора: MOSFET
  • Полярність: N
  • Максимальна розсіювана потужність (Pd): 300 W
  • Гранично допустима напруга стик-висток ⁇ Uds ⁇ : 60 V
  • Гранично допустима напруга затвор-висток ⁇ Ugs ⁇ : 20 V
  • Порога напруга увімкнення ⁇ Ugs(th) ⁇ : 4 V
  • Максимально допустимий постійний струм стоку ⁇ Id ⁇ : 210 A
  • Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
  • Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
  • Час наростання (tr): 82 ns
  • Вихідна ємність (Cd): 720 pf
  • Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.0033 Ohm
  • Тип корпусу: TO220AB

Основні
ВиробникPD
Країна виробникФіліппіни
Час включення87 мкс
Максимальна потужність розсіювання370 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік75 В
Максимально допустимий струм стоку210 А
Матеріал корпусуПластик
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
Вихідна ємність820 пФ
Користувальницькі характеристики
Тип призначенняПольовий транзистор IRFB3077 75V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом
Інформація для замовлення
  • Ціна: 70 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner