70 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 грн
Транзистор із ізольованим закривом і каналом n-типу випускається в корпусі TO220AB і кріпиться на тепловідвід. Напівпровідниковий прилад виготовлений на основі кремнію, між джерелам і стоком вбудований захисний діод. Пристрій має низький тепловий опір і має швидке перемикання.
Основні | |
---|---|
Виробник | PD |
Країна виробник | Філіппіни |
Час включення | 87 мкс |
Максимальна потужність розсіювання | 370 Вт |
Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
Максимально допустимий струм стоку | 210 А |
Матеріал корпусу | Пластик |
Тип монтажу | Поверхневий |
Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики | |
Вихідна ємність | 820 пФ |
Користувальницькі характеристики | |
Тип призначення | Польовий транзистор IRFB3077 75V/210A, N-канальний МОП транзистор MOSFET, Транзистор із ізольованим закривом |